个人简介

赵旭鹏，博士，东莞市特色人才。本科2013年毕业于北京科技大学，2018年硕博连读毕业于中国科学院大学，获凝聚态物理理学博士学位(PhD)，2018.7-2022.3于中科院半导体所从事博士后研究并担任助理研究员，2022年入职yl23411永利集团永利yl23411，学校学科骨干人才。在Applied Physics Letters、Physical Review Applied和Physical review B等领域内权威期刊发表SCI论文30余篇，共申请国家发明专利8项，获授权4项，H因子12。长期从事自旋电子学材料和非易失性磁性存储器相关前沿物理研究。主持国家自然科学基金青年科学基金项目一项，国家重点研发计划“高密度磁存储材料及集成技术研究”子课题一项。

教育背景

2009.09-2013.06 北京科技大学，应用物理系，学士

2013.09-2018.06 中科院半导体所，凝聚态物理，硕博连读

工作经历

2018.07-2020.07 中科院半导体所，半导体超晶格国家重点实验室，博士后

2020.09-2022.05 中科院半导体所，半导体超晶格国家重点实验室，助理研究员

2022.06-至今 yl23411永利集团，特聘副研究员

科学研究

（1）承担的研究项目

1. 强垂直磁各向异性亚铁磁薄膜电流诱导磁化翻转研究，国家自然科学基金青年科学基金项目，202101-202312，30万元，主持

2. 垂直磁性隧道结技术和新型电场调控磁各向异性效应与器件物理研究，国家重点研发计划子课题，201805-202204，46.55万元，主持

（2）发表的学术论文和著作

[1] Zhao X P, Zhao J H , Interlayer Dzyaloshinskii-Moriya interaction in spintronics. npj Spintronics, 3, 25 (2025).

[2] Zhao X P, Zhang S, Han R, et al. Field-free spin–orbit torque switching in a perpendicularly magnetized bilayer with a large interfacial saturation magnetization gradient[J]. Applied Surface Science, 2025, 688: 162388. (二区TOP)

[3] Zhao X P, Sun H, Han R, et al. Enhanced interlayer Dzyaloshinskii–Moriya interaction and field-free switching in magnetic trilayers with orthogonal magnetization[J]. APL Materials, 2024, 12(4): 041103

[4] Zhao X P, Sun H, Tong S, et al. Manipulation of perpendicular magnetic anisotropy and spin–orbit torque switching behavior in ferrimagnetic D022-Mn3Ga based multilayers[J]. Applied Physics Letters, 2023, 123(4): 042407

[5] Han R K, Liu L, Sun H L, et al. Large tunable perpendicular magnetic anisotropy in ultrathin co-based ferromagnetic films induced by antiferromagnetic δ-Mn[J]. Physical Review Applied, 2023, 19(2): 024033.

[6] Zhao X P, Mao S, Wang H, et al. Antiferromagnet-mediated spin–orbit torque induced magnetization switching in perpendicularly magnetized L1-MnGa[J]. Applied Physics Letters, 2021, 118(9): 092401.

[7] Zhao X P, Lu J, Mao S W, et al. Spin-orbit torque induced magnetization switching in ferrimagnetic Heusler alloy D22-Mn3Ga with large perpendicular magnetic anisotropy[J]. Applied Physics Letters, 2019, 115(14): 142405.

[8] Zhao X P, Lu J, Mao S W, et al. Spontaneous perpendicular exchange bias effect in L1-MnGa/FeMn bilayers grown by molecular-beam epitaxy[J]. Applied Physics Letters, 2018, 112(4):042403.

（3）专利情况

(1) 赵旭鹏; 赵建华; 全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法, 发明专利，专利号：ZL201910535412.8，已授权，授权时间：2019-06-19

(2)鲁军，赵旭鹏，毛思玮，朱礼军，赵建华，L10-MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法，发明专利，专利号：ZL201610496714.5，已授权，授权时间：2018.10.9

(3)赵建华，赵旭鹏，秦红蕊，基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器，发明专利，专利号：ZL202110294573.X，已授权，授权时间：2023.12.5

(4)鲁军，毛思玮，赵旭鹏，赵建华，Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法，发明专利，专利号：ZL201610552010.5，已授权，授权时间：2016.7.13

教学工作

主讲课程

集成电路制造工艺

半导体制程设备技术