个人简介

陈满妮，博士，副研究员。2010年本科毕业于赣南师范大学，2013年硕士毕业于杭州电子科技大学，2022年博士毕业于中山大学，获微电子学与固体电子学专业工学博士学位，2025年中山大学博士后出站，同年入职yl23411永利集团永利yl23411，目前担任微电子系副主任，硕士生导师。在《Applied Surface Science》、《Journal of Alloys and Compounds》、《ACS Applied Nano Materials》、《Photonics Research》等国际著名期刊发表学术论文十余篇。现主持国家自然科学基金一项，作为学术骨干参与国家重点研发计划1项、广东省重点研发计划1项。主要从事氧化物宽带隙半导体材料制备及其光电探测器研究，重点聚焦氧化镓薄膜制备及其光电（X射线和日盲紫外）探测与成像器件的研究与应用。

教育背景

2006.09-2010.07 赣南师范大学，电子信息工程专业，本科

2010.09月-2013.03 杭州电子科技大学，电子与通信工程专业，硕士

2018.09月-2022.06 中山大学，微电子学与固体电子学专业，博士

工作经历

2013.04-2014.07，上海诺诚电气股份有限公司，研发工程师

2014.08-2018.07，赣南师范大学科技学院数学与信息科学系，讲师

2022.08-2025.02，中山大学电子与信息工程学院，博士后，助理研究员

2025.03-至今，yl23411永利集团永利yl23411，副研究员、系副主任

科学研究

（1）承担的研究项目

1. 钙钛矿/氧化镓异质结真空平板X射线探测器研究，国家自然科学基金青年科学基金项目，2024-2026，30万元，主持；

2. 高灵敏宽动态范围平板X射线探测器研制，国家重点研发计划项目，2023-2028，2500万元，参与；

3. 高效日盲紫外探测材料及面阵器件研制，广东省重点研发计划，2024-2026，1200万，参与。

（2）发表的学术论文和著作

1. Chen, M.; Zhang, Z.; Kong, J.; Wen, B.; Ou, Z.; Xu, A.; Zhou, H.; Deng, S.; Chen, J., Nanocrystalline Si-doped Ga₂O₃ thin film transistors for high-performance solar-blind ultraviolet detection. Applied Surface Science 2026, 728.

2. Chen, M.; Zhang, Z.; Wen, B.; Kong, J.; Zhan, R.; Zhao, M.; Deng, S.; Xu, N.; Wang, K.; Chen, J., Achieving nanocrystalline Si-doped Ga₂O₃ thin films using low-temperature Si induced recrystallization effect for solar blind ultraviolet detection applications. Journal of Alloys and Compounds 2025, 182823.

3. Chen Manni, Zhang Zhipeng, Bin Wen, Zhan Runze, Wang Kai, Deng Shaozhi, Xie Jiangsheng*, Chen Jun*. Low dark current and high stability X-ray detector based on FAPbI₃/Ga₂O₃ heterojunction. Journal of Alloys and Compounds 2023, 941, 168989.

4. Chen Manni, Zhang Zhipeng, Lv, Zesheng, Zhan Runze, Chen Huanjun, Jiang Hao*, Chen Jun*. Polycrystalline Ga₂O₃ nanostructure-based thin films for fast-response solar-blind photodetectors. ACS Applied Nano Materials 2022, 5 (1), 351–360.

5. Chen Manni, Zhang Zhipeng, Zhan Runze, She Juncong, Deng Shaozhi, Xu Ningsheng, Chen Jun*. Fast-response X-ray detector based on nanocrystalline Ga₂O₃ thin film prepared at room temperature. Applied Surface Science 2021, 554, 149619.

6. Zhang Zhipeng, Chen Manni, Bai Xinpeng, Wang Kai, Chen Huanjun, Deng Shaozhi, Chen Jun*. Sensitive direct-conversion X-ray detectors formed by ZnO nanowire field emitters and beta-Ga₂O₃ photoconductor targets with an electron bombardment induced photoconductivity mechanism. Photonics Research. 2021, 9 (12), 2420-2428.

7. Zhang Zhipeng, Chen Manni, Wang Chengyun, Wang Kai, Deng Shaozhi, Chen Jun*. Highly sensitive direct-conversion vacuum flat-panel X-ray detectors formed by Ga₂O₃-ZnO heterojunction cold cathode and ZnS target and their photoelectron multiplication mechanism. Advanced Materials Interfaces 2022, 9, 2102268.

8. Zhang Zhipeng, Chen Manni, Zhan Runze, Chen Huanjun, Wang Kai, Deng Shaozhi, Chen Jun*. Fabrication of nanocrystalline Ga₂O₃-NiO heterojunctions for large-area low-dose X-ray imaging. Applied Surface Science 2022, 604, 154623.

（3）专利情况

1. 陈满妮，唐宇洋，王婉贞，周海，张光旻，任斌，一种钙钛矿/氧化镓异质结及其X射线探测器的制备方法，发明专利，申请号：2026101062652，已受理，申请时间：2026.01.27

2. 张志鹏，陈军，陈满妮，邓少芝，许宁生，一种氧化镓光探测器及制备方法，发明专利，专利号：ZL202411727403.6，已授权，授权时间：2025.11.11

3. 张志鹏，陈军，陈满妮，邓少芝，许宁生，一种氧化镓薄膜及其异质结制备装置和方法,发明专利，专利号：ZL202411727399.3，已授权，授权时间：2025.11.25

4. 赵治栋，骆懿，陈满妮，费小阳，应红华，一种宫缩压力监测系统及其动态压力校准方法，发明专利，专利号：ZL201210320824.8，已授权，授权时间：2014.04.02

教学工作

主讲课程

模拟集成电路设计

集成电路设计方法

微纳光电材料与器件